ams, 고전압 CMOS 공정기술로 HV 트랜지스터 공급

고성능 아날로그 IC, 센서 전문기업인 ams는 0.35µm 고전압 CMOS 전용 공정 플랫폼의 활용을 더욱 확장한다고 발표했다.

고전압 공정 전문기술력으로 제공되는 진보된 “H35” 프로세스는 전압 확장가능한 트랜지스터 셋트를 포함한다.

새로운 전압 확장가능한 고전압 NMOS와 PMOS 트랜지스터 디바이스들은 20V~100V의 다양한 드레인 소스 전압 레벨(VDS)에 최적화돼 있으며 매우 낮은 온저항을 제공해 면적 축소의 결과를 제공한다.

50V의 고정형 트랜지스터 대신 전력 관리 애플리케이션에서 최적화된 30V NMOS 트랜지스터를 사용해 약 50%까지 면적을 축소시켰다. 60V로 최적화된 NMOS 디바이스는 120V  NMOS 표준 트랜지스터와 비교할 경우 면적이 22% 더 축소된다. 대형 드라이버와 스위칭  IC처럼 복잡한 고전압 아날로그/혼성 신호 애플리케이션을 개발하는 파운드리는 웨이퍼 당 더 많은 다이를 생산할 수 있는 이점을 누릴 수 있다.

면적에 최적화된 디바이스는 자동차, 의료, 산업 분야 제품에서 사용되는 MEMS 드라이버, 모터 드라이버, 스위치, 전력 관리 IC들과 같은 다양한 범위의 애플리케이션에서 이상적으로 사용할 수 있다.

ams의 풀서비스파운드리 사업부 마커스 우체(Markus Wuchse) 제너럴 매니저는 “ams는 고전압 CMOS 전용 프로세스를 개발하고 뛰어난 제조 서비스를 제공할 수 있는 전문 기술력을 검증받았다”면서 “ams의 벤치마크 프로세스 디자인 킷인 힛킷(hitkit)뿐만 아니라 고전압 공정 전문기술력을 통해 고객사들은 면적과 온저항을 최적화할 수 있는 HV 집적회로(IC)를 구현할 수 있다. 이는 웨이퍼당 더 많은 다이를 구현할 수 있다는 것을 의미한다”라고 말했다.

디바이스 레이아웃 제너레이터(PCells), 시뮬레이션 모델, Calibre, Assura를 위한 검증 룰 데크, 디자인 룰 및 프로세스 파라미터 자료 등의 문서자료를 포함해 전압 확장가능한 트랜지스터의 통합 셋트는 ams의 보안이 강화된 파운드리 지원 서버(http://asic.ams.com)를 통해 등록된 사용자만 다운로드해서 이용할 수 있다.