ST, 동기식 정류에서 효율성 높은 60V 파워 MOSFET 출시

글로벌 반도체 기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 트렌치 기반 저전압 MOSFET인 STripFET F7 시리즈에 60V 디바이스를 새롭게 추가했다고 밝혔다.

이번 신제품은 까다로운 에너지 효율성 사양을 만족시키고 전력 밀도를 최대화해 산업용 전원 공급 장치, 태양광 마이크로 인버터의 DC/DC 컨버터 뿐 아니라 통신, 서버, 데스크탑 PC 등의 전원에 탑재가 가능하다.

STripFET F7 MOSFET은 전도 효율성과 간소화된 트렌치 게이트 구조의 스위칭 성능이 향상됐다. 덕분에 온 저항, 정전용량, 게이트 전하가 매우 낮아서 탁월한 성능지수(RDS(ON) x Qg)를 보인다. 고유 바디 다이오드는 회복 전하(recovery charge)가 낮아서 스위칭 속도를 빠르게 한다. 애벌런치 내구성(avalanche ruggedness)이 높아서 혹독한 전기 조건에서도 탄탄한 성능을 보장하며 리버스 트랜스퍼 정전용량(reverse-transfer capacitance)과 입력 정전용량 사이의 낮은 비율(Crss/Ciss)은 EMI 내성을 높인다.

이번 60V STripFET F7 MOSFET은 동기식 정류용에 맞도록 제작됐으며 보다 적은 수의 병렬 디바이스로 최대 전류를 얻을 수 있어서 전력 밀도를 높이고 부품 수는 줄일 수 있다. 제품 범위는 12개의 부품 번호로 구성되며 산업 표준 파워 패키지와 90A ~ 260A의 최대 전류(Tc = 25°C에서 실리콘 제한의 연속 드레인 전류)를 망라한다.

지원되는 패키지는 PowerFLAT 5x6, PowerFLAT 3.3x3.3, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP 그리고 2리드 또는 6리드의 H2PAK이다.