도시바, 실리콘 관통전극 기술을 적용 16다이 적층 NAND플래시 메모리 개발

도시바가 실리콘 관통전극(TSV)기술을 채용한 16다이(최대) 적층 NAND플래시 메모리를 개발했다고 밝혔다.

이 플래시 메모리의 시제품은 미국 산타클라라에서 오는 8월11~13일 열리는 2015 플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit 2015)에서 공개될 예정이다.

이전의 적측NAND플래시 메모리는 와이어 본딩 방식으로 서로 연결하여 하나의 패키지를 구성하는 기술을 사용했다. 이와 달리 TSV기술은 수직 전극과 비아(via)를 사용, 실리콘 다이를 관통하여 플래시 메모리를 서로 연결시킨다. 이는 고속으로 데이터를 입출력하고 소비전력을 줄여준다.

도시바의 TSV기술은 다른 NAND플래시 메모리 보다 저전압을 사용하면서 데이터 입출력(I/O) 속도가 더 빠른 1Gbps이상 된다. 즉, 코어 회로 전압이1.8V, I/O회로 전압은 1.2V이며 쓰기 및 읽기 작동과 데이터 I/O전송에 소비하는 전력이 약 50% 정도 감소된다.

이 NAND플래시 메모리 신제품은 기업용 고성능 SSD를 포함한 저지연(low latency), 고대역폭의 고 IOPS/와트 플래시 저장 애플리케이션에 적합한 솔루션이다.

이 응용 기술의 일부는 신에너지 산업기술종합개발기구(NEDO)가 개발한 것이다.