게이트 드라이브·하이 사이드 클램프 요건 제거 가능

EPC(Efficient Power Conversion)가 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V)와 EPC2108(60V) eGaN 하프 브리지 전력 IC를 발표했다. EPC는 질화 갈륨 기반 전력관리 디바이스 공급업체다.

EPC의 새로운 디바이스는 유도 역 회복 손실을 위한 게이트 드라이브는 물론 하이 사이드 클램프 요건을 제거할 수 있도록 한다.

▲ EPC가 부트스트랩 FET를 통합한 EPC2107(100V)와 EPC2108(60V) eGaN 하프 브리지 전력 IC를 발표했다.

EPC2107·EPC2108 eGaN 전력 IC는 A4WP 호환 클래스 2와 클래스 3 솔루션을 위한 모놀리식 하프 브리지와 통합 부트스트랩 기능을 갖췄다.

A4WP 표준인 리젠스(RezenceTM)는 탁월한 기능과 성능을 최종 소비자에게 제공한다. 각기 다른 전력 요건을 가진 여러 기기들을 동시에 충전할 수 있을 뿐 아니라 열쇠나 동전, 일상 가정도구에 적용 가능하다.

또 EPC2107·EPC2108 eGaN 전력 IC는 컴포넌트를 쉽고 빠르게 평가할 수 있는 개발 보드와 무선 전력 솔루션(송수신 디바이스)을 공급한다.

더불어 공진형 무선 전력 전송 애플리케이션을 위해 특별히 설계돼 고효율 엔드-유저 시스템을 신속하게 디자인할 수 있다.

매우 작은 칩 스케일 패키지인 1.35㎜ x 1.35㎜로 제공돼 전반적인 시스템 사이즈를 줄일 수 있도록 도울 뿐 아니라 3개의 FET 대신 하나의 GaN 디바이스를 사용할 수 있어 전반적인 컴포넌트 수를 줄임으로써 비용 절감에도 기여할 수 있다고 EPC 측은 강조했다.

이번 신제품은 두 개의 eGaN 전력 FET를 하나의 전력 IC로 통합함으로써 인터커넥트 인덕턴스와 PCB 상에서 요구되는 삽입 공간을 제거할 수 있다. 이러한 단일 통합 전력 부품을 이용함으로써 효율(특히 고주파수에서)과 전력 밀도를 모두 증대시킬 수 있으며 무선 전력 시스템 디자이너가 구현하는 최종 제품의 어셈블리 비용을 절감할 수 있다는 설명이다.

이와 함께 EPC는 무선 전력 전송 데모 시스템과 두 개의 새로운 eGaN 전력 IC 평가를 위한 개발 보드를 제공한다고 밝혔다.

EPC9113 무선 전력 데모 키트는 A4WP 클래스 3을 준수하고 6.78㎒(13.56㎒에서 동작하도록 수정 가능)에서 동작하면서 최고 16W를 DC 부하에 제공할 수 있다. EPC9114 무선 전력 데모 키트는 10W에서 A4WP 클래스 2를 준수하며 고효율 무선 전력 전송을 위해 eGaN FET를 사용해 평가 프로세스를 간소화하는 것을 목적으로 한다.

두 키트 모두 고효율 무선 전력 시스템을 구현하기 위해 EPC 질화 갈륨 트랜지스터의 고주파수 스위칭 성능을 활용한다.

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