온세미컨덕터(www.onsemi.com)가 방사선 방지 기능을 가진 ASIC(주문형 반도체) 시장 확대를 위해 ICs LLC(www.ics-rhbd.net)와 라이선싱 및 개발 분야에 협력한다고 밝혔다.
이번 협력을 통해 선보이게 될 RHBD(Radiation hardened by design) ASIC 의 설계와 생산은 온세미컨덕터의 ONC110 110nm 공정을 기반으로 한다. ITAR 규격을 준수하고 ‘DMEA 인증 공급업체’ 승인을 받은 제품으로 DO-254 규격을 지원한다. RHBD ASIC 출시를 통해 온세미컨덕터는 군사와 항공 시장용 제품군을 확대하게 된다.
RHBD ASIC 방사선 테스트 결과 100 MeVcm2/mg 이상의 ASIC뿐 아니라 더블비트 업셋 면역 40 MeVcm2/mg 이상의 이중 포트 SRAM의 선형 에너지 전송량에 전자 기기의 비트값이 변하는 오류 현상(SEU)과 과전류로 인한 전자 기기의 파괴 현상(SEL) 내구성을 보였다. 이 SRL 플립플롭은 최고 700MHz 의 주파수에서 방사선 노출 시 강력한 회복력을 보인다. 우주 탐사, 위성 통신, 감시, 항공 전자, 무인 항공기, 상업용 항공기, 핵에너지, 소립자 물리학 연구, 군사 장비 등과 같은 애플리케이션에 적합하다.
ICs LLC 조 필리 (Joe Feeley) CEO는 “반도체 업계가 소형 공정화 아키텍처로 이행됨에 따라 방사선 효과의 경감은 점차 중대한 문제로 대두되고 있다”며 “소프트 에러로부터 자유로운 기존의 RHBD 솔루션들이 고속 회로에 대해 적절히 보호를 하지 못했지만 SRL은 이 같은 기능을 무리없이 잘 수행한다. 이 같은 중요한 문제에 대해 솔루션을 제공하는 온세미컨덕터 덕택에 고객사들은 실시간 애플리케이션에 필수적인 오류 방지 ASIC을 제작할 수 있게 되었다”고 말했다.
온세미컨덕터 빈스 홉킨(Vince Hopkin) 군사 및 항공, 디지털, 맞춤식 파운드리 사업부 부사장은 “당사는 ICs LLC와의 포괄적인 협력을 통해 방사능 노출로 인한 오동작을 보호하는 동시에 보다 간편한 공정 기술의 로직 게이트를 다수 내장한 ASIC을 필요로 하는 고객사들의 수요에 부응할 수 있게 됐다”며, “당사가 제공하는 ‘DMEA 공급 인증 업체’로서의 신뢰도와 고도의 개발 프로세스 역량이 결합된 RHBD 제품 포트폴리오는 데이터와 IP 완전성을 요하는 우주 항공, 군사, 우주 프로그램 등 광범위한 특수 분야에서 경쟁력을 잘 발휘할 것”이라고 전했다.
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