인피니언, ‘5세대 1200V thinQ SiC 쇼트키 다이오드’ 출시
상태바
인피니언, ‘5세대 1200V thinQ SiC 쇼트키 다이오드’ 출시
  • 지홍현 기자
  • 승인 2014.06.25 11:27
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다


인피니언테크놀로지스(이하 인피니언)가 ‘5세대 1200V thinQ SiC 쇼트키 다이오드’를 출시했다.
새로 출시된 1200V SiC 다이오드는 태양광 인버터, 무정전 전원 장치(UPS), 3상 SMPS 및 모터 드라이브에서 효율을 향상시킨다.

1200V SiC 다이오드는 쇼트키 셀 필드에서 pn 접합 일체형 구조에 의해 구현된 새로운 초소형 칩 설계를 사용한다. 이 초소형 칩 설계는 칩 영역당 차동 저항을 줄여준다.

예를 들어 최대 부하 조건에서 20kHz로 동작하는 3상 태양광 인버터의 프런트엔드 부스트 스테이지에서 이전 세대에 비해 최대 30% 다이오드 손실을 줄일 수 있다. 또한 150°C의 접합부 온도에서 일반 순방향 전압은 1.7V을 가진다.

인피니언 테크놀로지스의 IGBT 전력 디스크리트 담당 마케팅 이사인 롤랜드 스틸(Roland Stele)는 “새로 출시된 5세대 SiC 다이오드는 낮은 다이오드 손실과 향상된 서지 전류 성능으로 신뢰성을 높이고 넓은 범위의 스위칭 주파수를 지원할 수 있다”며 “전망이 밝은 SiC 재료의 잠재적 가능성을 최대한 끌어냈다는 점에서 큰 진전을 이룬 제품”이라고 전했다.



댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.