‘IHM-B Enhanced’ 모듈의 대폭 길어진 수명은 두 가지 핵심적인 변경을 기반으로 달성됐다.
첫째는 새롭게 구현된 제조 기술이 보다 견고한 본드 와이어 연결을 구현했다. 이것은 모듈 부품의 스위칭과 관련한 전력 사이클에 대한 탄력을 증가시키며 전력 사이클링 특성은 이전 모델에 비해 2배 향상됐다.
둘째는 IHM-B Enhanced 모듈의 열 전도성이 알루미늄 실리콘 카바이드(AlSiC) 베이스 기판과 질화 알루미늄(AlN) 서브스트레이트의 결합으로 증가됐다. 사용하는 토폴로지에 따라 열 저항이 16~18퍼센트 감소된다.
예를 들어 2400A 단일 스위치 모듈의 경우 킬로와트당 9.3켈빈(IHM-B)에서 킬로와트당 7.8켈빈(IHM-B Enhanced)으로 향상된다는 것을 의미한다. 특히 모듈의 동작 중 발생되는 열의 방출이 크게 향상되어 칩과 본드 와이어와 같이 열에 민감한 부품의 부담이 완화된다.
이 밖에도 IHM-B Enhanced 모듈은 단일 스위치(FZ), 초퍼 그리고 인버티드 다이오드 가 탑재된 초퍼 토폴로지(FD)와 듀얼 다이오드(DD)가 제공된다.
또한 공급시기로는 IHM 제품 포트폴리오에서 1700V 전압 클래스 모듈이 800A~3600A 범위에서 가장 먼저 업그레이드되며 이 변환은 2014년 8월에 완료될 예정이다. IGBT 고전력 모듈 IHM-B Enhanced 및 공급 시기에 관한 자세한 내용은 www.infineon.com/IHM-B에서 확인할 수 있다.
인피니언의 IGBT 고전력 모듈 담당자 비욘-크리스토프 슈바르트(Björn-Christoph Schubart)는 “인피니언은 제품 특성에 영향을 미치지 않으면서 서비스 수명을 크게 연장함으로써 가치를 창출하고 고전력 모듈 분야에서 확고한 위치를 지속적으로 확대해 나가고 있다. 높은 수준의 제품 신뢰성과 가격 안정성은 교통과 산업용 드라이브 및 재생 에너지와 같은 성장 시장에서 고객에게 특화된 이점을 제공한다”고 말했다.
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지홍현 기자
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