마우서 일렉트로닉스(www.mouser.com)가 내부 저항성 램(Resistive RAM; ReRAM)이 내장된 파나소닉 의 첫 번째 마이크로 컨트롤러인 MN101L 8 비트 마이크로컨트롤러 의 판매를 시작한다고 발표했다.
ReRAM은 새로운 비휘발성의 임베디드 메모리로서 지우기 사이클 없이도 플래쉬 및 EEPROM 메모리보다 다섯 배나 많은 쓰기 성능을 특징으로 한다.
이로써 배터리 구동 기기에 고속의 비휘발성 쓰기 기능 및 더욱 긴 동작 시간을 제공하는 장점이 있다.
Mouser에서 구매 가능한 파나소닉 MN101L 8비트 마이크로 컨트롤러는 총 64Kbyte의 저항성 메모리를 가지고 있다.
62Kbyte는 기존의 플래쉬 메모리와 비슷하게 프로그램 메모리 분야에 사용되며2Kbyte는 EEPROM과 비슷하게 데이터 메모리 분야 에 사용된다. 저항성 메모리의 쓰기 기능에는 단지 1.8 V의 전압만이 필요하다.
데이터 메모리로 사용되는 저항성 메모리는 최대 100K의 쓰기 사이클을 지니지만 프로그램 메모리 저항성 메모리는 단지 1K의 쓰기 사이클을 가지고 있다. 데이터 유지 기간은 10년이다.
파나소닉의 ReRAM은 위 아래의 두 전극 사이에 낀 박막 금속산화물의 저항을 2진법 의“1”과 “0”으로 읽어내는 셀 구성을 기반으로 한다. 메모리 셀의 상태가 위쪽 전극에 펄스 된 음전압을 적용해 “1”로 바뀌면 산소 이온이 산화 탄탈륨으로 전이되어 저항을 줄여 셀 전도를 전기로 변환시키게 된다.
셀의 상태가 위쪽 전극에 펄스 된 음전압을 적용해 “0”로 바뀌면 산소 이온이 산화 탄탈륨으로부터 이격되어 저항을 높여 셀을 비전도성으로 변환시킨다. 두 전극 사이의 이러한 수직형 단순 구조 금속산화물은 아주 낮은 전력 소비로도 고속의 '다시 쓰기' 성능을 발휘하게 된다.
파나소닉 MN101L 은 3 단계 파이프라인을 내장한 간단한 10MHz 8-비트 마이크로 컨트롤러 코어를 사용한다. 이 제품은 16x16 멀티플라이, 32/16 디바이드, 리얼 타임 클락, ADC 그리고 LCD 컨트롤러도 집적하고 있다.
파나소닉 MN101L 시리즈 평가 보드 또한 Mouser Electronics에서 판매가 가능하게 됨으로써 개발자들은 MN101L 을 평가하고 파나소닉의 새로운 저항성 램 기술을 테스트하게 된다.
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