한양대, 반도체 성능 향상과 저전력 구현하는 신공정 개발

[테크월드=조명의 기자]

한양대는 신소재공학부 최창환 교수와 한훈희 박사과정 학생 연구팀이 반도체 소자의 성능 향상과 낮은 전력소모를 위한 새로운 3차원 집적 공정 방식을 개발했다고 밝혔다.

‘Monolithic 3D Integration(이하 M3D)’로 명명된 해당 기술은 반도체 소자 미세화 한계를 뛰어넘을 수 있는 기술로 평가받는다. 이런 이유로 최 교수팀은 최근 열린 반도체 분야 최고권위학회 ‘국제전자소자학회(International Electron Devices Meeting, IEDM)’에서 해당 내용을 발표했다.

IEDM은 세계 3대 반도체 학회 중 하나로, ‘반도체 분야의 올림픽’이라는 별칭이 있을 만큼 해당 학회에서 발표되는 논문 수가 그 국가의 반도체 기술 수준을 평가하는 지표가 되기도 한다.

그동안 반도체 업계는 소자 미세화 한계극복을 위해 EUV(극자외선) 노광 장비 기술을 도입하고 있지만, 다기능성 확대, 전력 소모 감소, 효율적인 생산 비용측면에서 새로운 대안 기술인 3차원 구조의 연구를 진행해왔다.

최 교수팀이 제안하는 3차원 집적 공정인 M3D 제작 기술은 수소 이온을 활용한 이온 컷(Ion-Cut) 기술을 적용해 M3D 직접회로(IC)를 구현했고, 기존 반도체소자 제조공정 온도보다 낮은 500℃ 이하 저온에서 70nm급 단결정 실리콘 층을 200mm CMOS 웨이퍼 위에 형성했다. 또 하부 CMOS 소자와 상부 광다이오드와 저항메모리 소자를 활용해 M3D 기술로 집적된 IC의 동작을 확인했다.

제안된 M3D 방식은 M3D 기술을 선도하는 해외 프랑스 CEA-LETI와 대만 TSRI의 방식과는 다른 수소 이온 주입을 이용한 기술이기에 상부 반도체층의 두께 조절과 결함 제어가 가능해 특성과 제조비용 측면에서 차별성을 갖는 효율적인 공법으로 평가받는다.

최창환 교수는 “반도체 소자의 지속적인 미세화 공정 개발 이외에 다기능성과 저전력 동작이 가능한 3차원 집적 공정 개발 또한 필수적이다. 마치 고층 아파트를 통해 주거 문제를 해결할 수 있는 것 같이 3차원 집적은 반도체 성능을 향상 시킬 수 있을 것으로 예상한다. 다양한 소자를 수직 배선으로 연결한 M3D 기술은 복잡한 연산과 저전력 IC 회로에 적용될 것으로 기대된다”고 말했다.

이번 연구는 한국연구재단의 선행공정·플랫폼 기술 연구개발 사업, 차세대 지능형 반도체 기술 개발 사업, Qualcomm의 지원으로 진행됐다.

한편, 최 교수팀은 지난 6월 강유전(Ferroelectric, 強誘電) 신소재를 활용한 3차원 플래시 메모리 소자의 다치화 연구로 초고밀도 집적 기술·회로 학회(VLSI Technology & Circuit)에서 메모리 소자 분과의 Highlight 논문으로 선정되는 등 차세대 반도체 소자, 재료·공정 분야에서 활발하게 연구하고 있다.