[테크월드=선연수 기자] 램리서치가 어제 22일 고 종횡비(High-aspect-ratio) 칩 구조 제조의 가공 솔루션 '스트라이커(Striker) FE 플랫폼'을 공개했다.
스트라이커 FE는 3D NAND, DRAM, 로직 소자의 새로운 노드에 필요한 극한 구조를 충진(Filling)하기 위한 혁신적인 ICEFill 기술을 채택하고 있다.
그동안 반도체 제조에서 사용해온 갭필(Gapfill) 방식에는 기존 화학기상증착(Chemical vapor deposition), 확산/퍼니스(Diffusion/furnace), 스핀온(Spin-on) 공정이 있다. 이 기술은 막질, 수축(Shrinkage), 갭필 보이드(Void) 간 상충으로 인해 제한이 있어, 현재의 3D NAND 요건을 더이상 충족하지 못한다.
램리서치의 스트라이커 ICEFill은 독점 표면 개질 기법을 사용해 보이드 없는 선택적 상향식(bottom-up) 갭필을 구현하며, 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition) 고유의 막질을 유지할 수 있다. 특히 3D NAND 소자의 많은 고종횡비 피처(Feature) 충진 제한요소를 없애는 것은 물론 DRAM과 로직 소자의 쓰러짐(Collapse) 문제도 방지해준다.
램리서치 증착 사업부장 세사 바라다라얀(Sesha Varadarajan)은 "우리의 목표는 실현할 수 있는 최고의 ALD 기술을 고객에게 제공하는 것이다. 이번 기술을 사용해 단일 공정 시스템에서 뛰어난 갭필 성능을 가진 양질의 산화막을 생산하면서, 업계 선두의 쿼드 스테이션 모듈 구조가 주는 생산성 이점도 누릴 수 있을 것"이라고 설명했다.
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